IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF
D 2 Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D 2 Pak Part Marking Information (Lead-Free)
T H IS IS AN IR F 5 3 0 S W IT H
L OT COD E 80 2 4
IN T E R N AT IO N AL
P AR T N U M B E R
AS S E M B L E D ON W W 0 2, 20 00
IN T H E AS S E M B L Y L IN E "L "
N ote: "P " in as s em bly lin e
po s itio n in dicates "L ead-F r ee"
R E C T IF IE R
L OGO
AS S E M B L Y
L O T CO D E
F 5 30 S
D AT E C O D E
Y E AR 0 = 2 0 0 0
W E E K 02
L IN E L
OR
www.irf.com
IN T E R N AT IO N AL
R E C T IF IE R
L O GO
AS S E M B L Y
L OT COD E
F 530S
P AR T N U M B E R
D AT E CO D E
P = D E S IG N AT E S L E AD -F R E E
P R O D U C T (O P T IO N AL )
Y E AR 0 = 2 0 0 0
W E E K 02
A = AS S E M B L Y S IT E CO D E
9
相关PDF资料
IRFSL33N15D MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
IRFSL41N15D MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
IRFSL59N10D MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
IRFSL9N60ATRR MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
IRFU214BTU_FP001 MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK
IRFU540ZPBF MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
IRFW630BTM_FP001 MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRFZ14STRR MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRFSL3507 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL3507PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 97A, 8.8 MOHM, 88 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 97A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
IRFSL3607PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFSL3806PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFSL38N20D 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
IRFSL38N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 44A, 54 MOHM, 60 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 38A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 200V D2-PAK
IRFSL4010PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFSL4020PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 18A 105mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube